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Optoelektronik II: Photodioden, Phototransistoren, Photoleiter und Bildsensoren [Paperback]

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  • Category: Books (Technology &Amp; Engineering)
  • Author:  Winstel, G?nter, Weyrich, Claus
  • Author:  Winstel, G?nter, Weyrich, Claus
  • ISBN-10:  3540160191
  • ISBN-10:  3540160191
  • ISBN-13:  9783540160199
  • ISBN-13:  9783540160199
  • Publisher:  Springer
  • Publisher:  Springer
  • Binding:  Paperback
  • Binding:  Paperback
  • Pub Date:  01-Mar-1986
  • Pub Date:  01-Mar-1986
  • SKU:  3540160191-11-SPRI
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  • Item ID: 100848760
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1 Einf?hrung und ?berblick.- 1.1 Entwicklungsgeschichte der Strahlungsempf?nger.- 1.2 ?berblick ?ber die verschiedenen Funktionsprinzipien von Strahlungs- und Teilchendetektoren.- 1.2.1 Thermische Detektoren.- 1.2.2 Photonendetektoren.- Literatur zu Kapitel 1.- 2 Empfindlichkeitscharakteristiken, Nachweisgrenzen und Betriebsarten von Strahlungsempf?ngern.- 2.1 Der Quantenwirkungsgrad.- 2.2 Die Empfindlichkeit (Responsivity).- 2.3 Das Nachweisverm?gen.- 2.3.1 Rauschquellen.- 2.3.2 Die rausch?quivalente Leistung (Noise Equivalent Power: NEP).- 2.3.3 Die Detectivities D, D*, D**.- 2.4 Vergleich der Strahlungsdetektoren hinsichtlich Nachweisverm?gen.- 2.5 Betriebsarten von Strahlungsdetektoren.- 2.5.1 Direktempfang.- 2.5.2 Optischer Heterodynempfang.- Literatur zu Kapitel 2.- 3 Sperrschichtphotodetektoren.- 3.1 pn- und pin-Photodioden.- 3.1.1 Dunkelstrom.- 3.1.2 Strahlungsabsorption.- 3.1.3 Photostrom und Quantenwirkungsgrad.- 3.1.4 Zeitverhalten.- 3.1.5 Rauschen.- 3.2 Schottky-Photodioden.- 3.3 Phototransistoren.- 3.3.1 Photostromverst?rkung.- 3.3.2 Zeitverhalten.- 3.3.3 Signal-Ger?usch-Verh?ltnis.- 3.4 Avalanchephotodioden.- 3.4.1 Sto?ionisation und Ionisationskoeffizienten.- 3.4.2 Stromverst?rkung und Verst?rkungsfaktoren.- 3.4.3 Zeitverhalten.- 3.4.4 Design von Avalanchephotodioden.- 3.4.5 Grenzen der Avalanche-Stromverst?rkung.- 3.4.6 Rauschen und Zusatzrauschfaktor.- 3.4.7 Signal-Ger?usch-Verh?ltnis und optimale Verst?rkung.- 3.5 Sperrschichtphotodetektoren mit HeteroStruktur.- 3.5.1 Prinzip der HeteroStruktur.- 3.5.2 Fenster- oder Filterschicht.- 3.5.3 APDs mit Avalanchezone und Absorptionszone in Halbleitern unterschiedlichen Bandabstandes.- 3.5.4 APDs mit niedrigem Zusatzrauschen durch Bandeffekte im Ortsraum.- 3.5.5 Heterostruktur-Phototransistoren.- 3.6 Ausf?hrungsformen von Sperrschichtphotodetektoren.- 3.6.1 Silizium.- 3.6.2 Germanium.- 3.6.3 AlGaAs/GaAs.- 3.6.4 InGaAsP/InP.- 3.6.5 AlGaAsSb/GaSb.- 3.6.6 InAs und InSb.- 3.6.7 PbSnTe und PbSnSe.- 3.6.8 CdHgTelã•

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