MOS-Feldeffekttransistoren [Paperback]

1. Der MOS-Feldeffektransistor, das wichtigste Bauelement innerhalb der Familie der Feldeffekttransistoren.- 2. Der MOS-Transistor als Funktionselement. Grundlagen, Wirkprinzip und Kennlinienmodell.- 2.1 Der MOS-Zweipol.- 2.1.1 Die Raumladungszone.- 2.1.2 Einflu? von Austrittsarbeit und Oberfl?chenzust?nden auf die Flachbandspannung.- 2.1.3 Kapazit?t des MOS-Zweipols.- 2.1.4 Der MOS-Zweipol mit zug?ngiger Inversionsschicht.- 2.2 Der MOS-Transitor. Grundlegende Kennlinieneigenschaften.- 2.2.1 Wirkprinzip. Grundmodell.- 2.3 Verbesserte Modellierung.- 2.3.1 Verallgemeinertes Fl?chenladungsmodell.- 2.3.1.1 Drift- und Diffusionsstrom-Kennlinienmodell.- 2.3.1.2 Kennlinie im Bereich starker Inversion.- 2.3.1.3 Linearisierung der Verarmungsladung.- 2.3.1.4 Vergleich der Kennlinienmodelle.- 2.3.1.5 Kennlinie bei schwacher Inversion.- 2.3.1.6 Bereich mittlerer Inversion.- 2.3.2 Besondere physikalische Effekte.- 2.3.2.1 Beweglichkeitsmodellierung.- 2.3.2.2 Kanall?ngenmodulation. S?ttigungsverhalten.- 2.3.2.3 Durchbruchsverhalten.- 2.3.2.3.1 Lawinendurchbruch.- 2.3.2.3.2 Gatedurchbruch. Schutzma?nahmen.- 2.3.3 Strom-Spannungsverhalten verschiedener MOSFET.- 2.3.3.1 p-Kanal-Anreicherungs-MOSFET.- 2.3.3.2 n-Kanal-Verarmungs-MOSFET.- 2.3.3.3 MOSFET mit implantiertem Kanal gleichen Leitungstyps zum Substrat.- 2.3.3.4 MOSFET mit implantiertem Kanal entgegengesetzten Leitungstyps, n-Kanal Verarmungstransistor.- 2.3.3.4.1 Betriebsmoden.- 2.3.3.4.2 Stromflu?. Kennlinie.- 2.3.3.4.3 Verarmungstransistor.- 2.3.3.4.4 Anreicherungstransistor.- 2.4 Der MOSFET bei abnehmenden Geometrien. Kurzkanal- und Schmalkanaleffekte. Submikrometertransistor.- 2.4.1 Geometrieabh?ngigkeit der Schwellspannung.- 2.4.1.1 Kurzkanalsch wellspannung.- 2.4.1.2 Schmalkanalschwellspannung.- 2.4.1.3 Kleingeometrieeffekte.- 2.4.1.4 Kurzkanalschwellspannung des MOSFET mit vergrabenem Kanal.- 2.4.1.5 Kennlinien im Bereich schwacher Inversion bei Kurzkanaleffekt.- 2.4.2 Hochfeldeffekte.- 2.4.2.1 Durchgreifeffekt.- 2.4.2lă9